09.07.2015

В новых процессорах IBM применены транзисторы величиной 7 нм

Корпорация IBM заявила о разработке чипов с рекордной плотностью транзисторов, превосходящей по вычислительной мощности все существующие образцы, сообщает New York Times.

Процессоры состоят из базовых элементов — транзисторов, формирующих логические цепи. Чем меньше транзистор, тем их большее количество может поместиться на кристалле чипа, и тем больше операций сможет выполнять микросхема. В настоящее время индустрия переходит с топологии 14-нм на 10-нм.

В новых процессорах IBM применены транзисторы величиной 7 нм. По словам представителей компании, перейти на эту норму позволило применение в конструкции транзистора сплава кремния и германия вместо чистого кремния — традиционного материала для изготовления микрочипов.

Как сообщили в IBM, процессор обычных размеров может вместить свыше 20 млрд транзисторов, имеющих размер 7 нм. Для примера, процессор в iPhone 6 имеет примерно 2 млрд транзисторов, а самый мощный 18-ядерный серверный процессор Intel Xeon — около 5,5 млрд транзисторов.

Помимо уменьшения размера базового блока любого микропроцессора, сплав кремния и германия позволил добиться более высокой скорости переключения транзисторов и более низкого потребления энергии, заявили в IBM, сравнивая новые изделия с процессорами ведущих марок. Конкретные величины в компании не уточнили.

На сегодняшний день инженеры IBM располагают рабочими образцами чипов на базе технологии 7 нм. Корпорация готова лицензировать свои разработки производителям чипов, таким как GlobalFoundries.

Новые чипы были созданы при непосредственном участии GlobalFoundries и Samsung. Вместе с IBM, а также с властями штата Нью-Йорк, где расположен научно-исследовательский центр консорциума, его члены согласились инвестировать $3 млрд в разработку процессоров будущего поколения.

Ранее корпорация Intel заявила, что переход к 7 нм теоретически возможен. Однако она не сообщила, когда такие микрочипы могут появиться на рынке. Процессоры Intel нынешнего поколения базируются на технологии 14-нм. К 2017 г. корпорация планирует освоить топологию 11-нм.

Источник:  CNews.ru


Рейтинг статьи